特許
J-GLOBAL ID：200903093918628669

発光ダイオード

発明者：
早川 利郎

早川 利郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332679
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141551
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 発光ダイオードにおいて、高出力化を実現し、微小スポットに絞り込める光量を増加させる。【解決手段】 サファイア基板11上に、n-GaN低温バッファ層12、n-GaNバッファ層13 、n-In0.05Ga0.95Nバッファ層14、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層15、n-GaN光ガイド層16、アンドープ活性層17、p-GaN光ガイド層18、p-Al0.15Ga0.85Nクラッド層19、p-GaNキャップ層20を成長する。次に、発光領域以外のエピ層をn-GaNバッファ層13が露出するまでエッチング除去する。次に同様のプロセスを用いて、4μm幅のリッジ状のストライプ領域を残して、p-Al0.15Ga0.85Nクラッド層19の途中までエッチング除去してリッジ型の導波構造を形成する。光出射端面から対向する端面までの長さを30μm以上250μm以下とする。
請求項（抜粋）：
InGaN、GaNおよびAlGaNのうち少なくとも一つからなる活性層を有し、ストライプ状の導波構造を備えた発光ダイオードにおいて、光出射端面から該端面と対向する端面までの長さが30μm以上250μm以下であることを特徴とする発光ダイオード。
Fターム (10件)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CB15 ,  5F041EE25 ,  5F041FF13
引用特許：
審査官引用 (8件)
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