特許
J-GLOBAL ID：200903090634992205

複合半導体装置

発明者：
鈴木 未生

鈴木 未生 について

, 
岩渕 昭夫

岩渕 昭夫 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-098514
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273795
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】HEMTとダイオードとから成る複合半導体装置の小型化が要求されている。【解決手段】本発明に従うHEMTとダイオードとから成る複合半導体装置は、電子走行層3と電子供給層4とを含む半導体領域5と、この一方の主面上に形成されたソース電極7及びドレイン電極8とゲート電極12とを有し、更に、半導体領域5の一方の主面上におけるゲート電極12とドレイン電極8との間にショットキー電極60を有する。ショットキー電極60は導体60aによってソース電極7に接続されている。ショットキー電極60と半導体領域5とで形成されたショットキーダイオードは、帰還又は回生又は保護ダイオードとして機能する。このショットキーダイオードの電流はゲート電極12に基づく空乏層に妨害されない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに対向する一方及び他方の主面を有する半導体領域と、 前記半導体領域の前記一方の主面上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記半導体領域の前記一方の主面上に形成され且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、 前記半導体領域の一方の主面の上において前記ゲート電極を基準にして前記ソース電極と反対側に配置され且つ前記半導体領域の一方の主面にショットキー接触しているショットキー電極と、 前記ショットキー電極と前記ソース電極との間を接続している接続導体と を備えていることを特徴とする複合半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 27/095 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L29/80 E ,  H01L29/80 W ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 B ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 301B
Fターム (40件)：
5F102FA06 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F140AA00 ,  5F140AB06 ,  5F140AC02 ,  5F140AC16 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD06 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF41 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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