特許
J-GLOBAL ID：200903090670267215
ウェハーレベルチップスケールパッケージの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-134984
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170841
出願日： 2001年05月02日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 コストを節約し金属柱との接着度が大幅に低下することを回避可能なウェハーレベルチップスケールパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】 ウェハー1の表層の金属パッド11上にワイヤボンディング成球法による金属突起が形成されている。従来の超音波振動ワイヤボンディング技術を運用して金属パッド11上に金属導線2を溶接し、つづいて溶接針を上へ移動して金属導線を引き切るまたは切断する。そして金属突起を残す。金属突起の高さは金属導線2の種類、直径およびワイヤボンディングパラメータ等によって制御される。ジグを使ってウェハー1上のすべての金属突起を植付けのために適当な高さまでに平にし錫ボール突起を植付ける。金属突起の金属と錫との不適合により介金属化合物が発生し易い場合は、先ず金属沈積法によって金属突起の頂上面に突起下冶金層を作り、植付けを行う。
請求項（抜粋）：
ワイヤボンディング成型技術をウェハー突起およびウェハーレベルチップスケールパッケージに応用した製造法であって、保護層および突起下冶金層を更に増す必要がない状況下で、ウェハーの表層の金属パッド上には、ワイヤボンディング成球法により直接金属突起が形成され、超音波振動ワイヤボンディング技術により前記金属パッド上には金属導線が溶接され、溶接針が上へ移動することにより前記金属導線は切断され、ワイヤボンディング成球法による前記金属突起は残され、前記金属突起の高さは前記金属導線の種類、直径およびワイヤボンディングパラメータ等によって制御され、前記金属突起が製作されたのち、ジグにより前記ウェハーの上の前記金属突起は後続の植付けのために所定の高さに均され、前記金属突起上には、植付けまたは錫ペースト印刷等技術により錫ボール突起が植付けられ、各種材料により形成されている前記金属突起の金属と、前記錫ボール突起とが、不適合である場合は、金属沈積法により前記金属突起の頂上面に突起下冶金層を形成した後植付けを行うことを特徴とするウェハーレベルチップスケールパッケージの製造方法。
FI (5件)：
H01L 21/92 604 E
, H01L 21/92 602 F
, H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 604 J
, H01L 21/92 604 S
