特許
J-GLOBAL ID：200903072937530095
半田バンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041936
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242148
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 チップのアルミニウム電極上に、高さが高くしかも均一な高さの半田バンプを簡単に形成できる半田バンプの形成方法を提供すること。【解決手段】 チップ1の電極上2に銅バンプ5aを形成した上で、印刷マスクによりクリーム半田を塗布する。塗布されたクリーム半田は銅バンプ5aの表面に付着するので、クリーム半田の版抜け性がよく、しかも形崩れなく十分な厚さで電極2上に塗布できる。また銅バンプ5aとクリーム半田の体積の和が電極2上に形成される半田バンプ10aの体積となるので、リフロー後に形成される半田バンプ10aは高さが高く、また加熱時には溶融したクリーム半田はぬれ性の悪いアルミニウムの電極2にはじかれてぬれ性のよい銅バンプ5aに吸い寄せられるので、アルミニウムの電極2の大きさには左右されない均一な高さの半田バンプ10aを形成することができる。
請求項（抜粋）：
チップのアルミニウムの電極上にワイヤボンディングにより銅バンプを形成する工程と、電極の位置に合わせて複数のパターン孔が形成された印刷マスクをチップの上に重ね、印刷マスク上をスキージを摺動させてパターン孔の中にクリーム半田を充てんし、次いで印刷マスクをチップから分離することにより前記銅バンプをコアとして前記銅バンプを被覆するクリーム半田を前記電極上に塗布する工程と、チップを加熱してクリーム半田を溶融させ、次いで冷却固化させることにより前記電極上に半田バンプを形成する工程と、を含むことを特徴とする半田バンプの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H05K 3/34 501
H01L 21/92 604 E
, H05K 3/34 501 F
, H01L 21/92 602 E
, H01L 21/92 603 B
