特許

J-GLOBAL ID：200903090723721177

半導体の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-159976
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330227
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 高い結晶性を有する結晶性珪素膜を得る。【構成】 石英基板101上に下地膜として酸化珪素膜102を成膜し、さらに非晶質珪素膜103を成膜する。そして、珪素の結晶化を助長する金属元素を非晶質珪素膜103の表面に接して保持させる。この状態で800〜1100°Cの温度で加熱処理を行う。そして、非晶質珪素膜103を結晶化させ、結晶性珪素膜106に変成する。

請求項（抜粋）：

石英基板上に成膜された珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、800°C〜1100°Cの温度で加熱処理を施し、前記珪素膜を結晶性珪素膜に変成するまたは前記珪素膜の結晶性を助長する工程と、を有することを特徴とする半導体の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040522   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭62-169320
  
• ガラス基板および加熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-279029   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303436   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162703   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所