特許
J-GLOBAL ID：200903090723859055

半導体装置およびその製造方法

発明者：
牧田 直樹

牧田 直樹 について

, 
宮本 忠芳

宮本 忠芳 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288134
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148425
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 結晶化を助長する金属元素を用いた600°C以下の熱処理による非晶質ケイ素膜103の結晶化を、基板面内での均一性及び基板間での再現性よく行うことができ、しかも通常の熱処理により得られる結晶性よりさらに良好な結晶性を有する結晶性ケイ素膜を形成して、半導体素子10の高性能化及びその活性領域103iにおける金属元素量の低減を同時に図る。【構成】 基板表面の絶縁性下地膜102上に非晶質ケイ素膜103を形成し、この上に該非晶質ケイ素膜の結晶化を助長するケイ化金属膜105を直接形成し、その後加熱によって該非晶質ケイ素膜103を結晶化させるようにした。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面を有する基板と、該基板の絶縁性表面上に設けられ、非晶質ケイ素膜に接するケイ化金属膜を結晶成長の触媒として、該非晶質ケイ素膜を加熱処理により結晶化してなる活性領域とを備えた半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (3件)

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