特許
J-GLOBAL ID:200903090735468310

多層基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石島 茂男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-246954
公開番号(公開出願番号):特開2001-077531
出願日: 1999年09月01日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】多層基板を形成できる簡単な製造方法を提供する。【解決手段】受け側の単層基板素片10表面の樹脂フィルム17上に、他の単層基板素片801のバンプ841を当接させ、超音波装置のホーンの先端部54を上方から押しあて、超音波を印加する。超音波振動により、バンプ841が樹脂フィルム17を突き破り、下層の配線膜16に接続される。樹脂フィルム17に開口を形成しておく必要がないので、工程が簡略化される。
請求項(抜粋):
金属薄膜がパターニングされて成る配線膜と、前記配線膜表面に形成された樹脂フィルムとを有する複数の単層基板素片の前記配線膜同士をバンプで接続し、多層基板を形成する多層基板の製造方法であって、2枚の前記単層基板素片のうち、少なくとも一方の前記単層基板の前記配線膜に、前記樹脂フィルム上に突き出るように金属のバンプを形成しておき、前記バンプを他方の単層基板素片の樹脂フィルム上に当接させ、少なくとも一方の前記単層基板に超音波を印加し、バンプに当接された前記樹脂フィルムを突き破り、前記バンプを前記配線膜に接触させ、前記バンプと前記配線膜とを接続することを特徴とする多層基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H05K 3/46 B ,  H01L 23/12 N
Fターム (10件):
5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346EE13 ,  5E346EE33 ,  5E346FF24 ,  5E346GG08 ,  5E346GG28 ,  5E346HH31
引用特許:
審査官引用 (4件)
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