特許
J-GLOBAL ID：200903090779570767

半導体回路内蔵構造体

発明者：
井上 聡

井上 聡 について

, 
下田 達也

下田 達也 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341241
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155134
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【解決課題】 予め薄膜半導体集積回路が転写された転写基板をカード基板などの構造体に埋め込などして両者を一体化する手段を採用して従来の転写技術での問題を避けるとともに、転写基板の材質をICカード基板等転写基板が適用される対象体に同質なものから選択することにより、対象体から転写基板を区別して取り出せないようにする。【解決手段】 導電パターン30が形成されたカード基板20と、薄膜半導体集積回路が転写された転写基板34とを備える。この転写基板に転写した薄膜半導体回路が、導電パターンに電気的に接合するようにカード基板に一体化されてなる。カード基板と転写基板とは互いに区別してエッチングできない同質材料により形成されてなるICカード10を提供する。
請求項（抜粋）：
薄膜半導体集積回路が転写された転写基板を構造体に一体化してなる半導体回路内蔵構造体であって、この構造体の構成材料と前記転写基板の構成材料とを同質材料とした半導体回路内蔵構造体。
IPC (2件)：
G06K 19/077 ,  B42D 15/10 521
FI (2件)：
B42D 15/10 521 ,  G06K 19/00 K
引用特許：
審査官引用 (4件)
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