特許

J-GLOBAL ID：200903090794172417

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 最勝寺 俊昭 ,  中村 浩三 ,  久保田 利通 ,  冨岡 純輔
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326138
公開番号（公開出願番号）：特開平10-152395
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 CZ法による単結晶の製造において、as-grownシリコン単結晶中に存在する八面体状ボイド欠陥の密度低減を図り、酸化膜耐圧特性の優れたウェーハを得ることができるようにする。【解決手段】 結晶引上速度をV(mm/min)、シリコンの融点〜1300°Cの温度範囲および1150°C〜1080°Cの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をそれぞれG1(°C/mm )、G2(°C/mm)とし、欠陥密度をd( 個/cm3)としたとき、V/G1 >0.581×V×G2 -(d-4.3×103 )/2.65×106で、かつ、V/G1 >0.25となるようにV、G1 、G2 、dを定めて結晶を成長させる。これにより、欠陥の密度を1×106 個/cm3未満に低減させ、酸化膜耐圧特性およびデバイス歩留りに優れたシリコン単結晶を製造することができる。

請求項（抜粋）：

CZ法によるシリコン単結晶の製造において、結晶引上速度をV(mm/min)、シリコンの融点から1300°Cまでの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をG1 (°C/mm)、1150°Cから1080°Cまでの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をG2 (°C/mm)とし、八面体状ボイド欠陥の密度をd(個/cm3 )としたとき、V/G1 >0.581×V×G2 -(d-4.3×103 )/2.65×106で、かつ、V/G1 >0.25となるように結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/00 Z ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-148939   出願人：住友シチックス株式会社
• 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-143391   出願人：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶の製造方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-081837   出願人：信越半導体株式会社