特許
J-GLOBAL ID：200903090822344784

フッ素含有インジウム-錫酸化物焼結体及びその製造方法

発明者：
竹内 友成

竹内 友成 について

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蔭山 博之

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中澤 弘実

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熱海 敏幸

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出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について

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ジオマテック株式会社

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代理人 (1件)： 三枝 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-091739
公開番号（公開出願番号）：特開2005-272272
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】表面平滑性に優れた透明導電膜を形成するために、F-ITOターゲット用高密度焼結体を低温でかつ短時間で製造しうる新たな技術を提供することを主な目的とする。【解決手段】インジウム、錫、酸素およびフッ素を含有する粉末原料に加圧下で直流パルス電流を印加することを特徴とするフッ素含有インジウム-錫酸化物焼結体の製造方法;前記項に記載の方法により得られたフッ素含有インジウム-錫酸化物焼結体;前記項に記載のフッ素含有インジウム-錫酸化物焼結体からなるスパッタリング用ターゲット材;前記項に記載のスパッタリング用ターゲット材を用いて作製した薄膜;薄膜厚の平均値(d)に対する薄膜の凹凸による高低差(ΔZ;膜厚の最大値と最小値の差)の比(表面平滑度;ΔZ/d)が、10%を超えない前記項に記載の薄膜。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
インジウム、錫、酸素およびフッ素を含有する粉末原料に加圧下で直流パルス電流を印加することを特徴とするフッ素含有インジウム-錫酸化物焼結体の製造方法。
IPC (4件)：
C04B35/64 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14
FI (4件)：
C04B35/64 E ,  C23C14/34 A ,  H01B5/14 A ,  C04B35/00 R
Fターム (22件)：
4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030AA58 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA07 ,  4G030GA01 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA23 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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