特許
J-GLOBAL ID：200903055781375050
高密度ITO焼結体の製造方法および高密度ITO焼結体、並びにそれを用いたITOスパッタターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140002
公開番号（公開出願番号）：特開平10-072253
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】インジウムと錫と酸素からなる粉末を成形して焼結させるITOスパッタタ-ゲットの製造方法において、スパッタタ-ゲットとしての特性に優れ、工業的に有用な焼結密度の高い緻密なITO焼結体、及びそれを原料として得られるITOスパッタターゲットを提供する。【解決手段】インジウムと錫と酸素からなる粉末を成形して焼結させる酸化インジウム-酸化錫焼結体の製造方法において、酸化インジウム-酸化錫粉末の密度とBET比表面積から求めたBET比表面積径が0.05μmを超え1μm以下の粉末を成形、又は酸化インジウム及び/又は酸化錫の粉末のそれぞれのBET比表面積径が0.05μmを超え1μm以下の粉末を混合して成形して、1450 ゚C以上1650 ゚C以下の範囲で焼結する酸化インジウム-酸化錫焼結体の製造方法、及び該製造方法により製造される酸化インジウム-酸化錫焼結体、並びにそれを原料として得られるITOスパッタターゲット。
請求項（抜粋）：
インジウムと錫と酸素からなる粉末を成形して焼結させる酸化インジウム-酸化錫焼結体の製造方法において、酸化インジウム-酸化錫粉末の密度とBET比表面積から求めた換算粒径(BET径)が0.05μmを超え1μm以下の粉末を成形し、1450 ゚C以上1650 ゚C以下の範囲で焼結することを特徴とする酸化インジウム-酸化錫焼結体の製造方法。
IPC (4件)：
C04B 35/457
, C01G 19/00
, C23C 14/34
, C23C 14/08
C04B 35/00 R
, C01G 19/00 A
, C23C 14/34 A
, C23C 14/08 D
