特許

J-GLOBAL ID：200903090846078988

放射線撮像素子

発明者： 八重樫 裕之 ,  中山 昌哉
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-156640
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094465
出願日： 2008年06月16日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜と、上部電極、下部電極、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜を有し、該光電変換膜が、光電変換部と、非晶質酸化物により形成された活性層を有する電界効果型薄膜トランジスタを有し、前記電界効果型トランジスタが、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする放射線撮像素子。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

被写体を透過した放射線を受光して前記放射線量に応じた撮像信号を出力する放射線撮像素子であって、 基板上方に形成された下部電極、前記下部電極上方に形成された光電変換膜、及び前記光電変換膜上方に形成された上部電極を含む光電変換部と、前記上部電極上に形成された蛍光体膜と、前記光電変換部に対応して前記基板に設けられ、前記光電変換膜で発生した電荷に応じた信号を出力するための電界効果型トランジスタとを含む画素部を複数備え、 前記電界効果型トランジスタが、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする放射線撮像素子。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/09 ,  G01T 1/20

FI (7件)：

H01L27/14 C ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L31/00 A ,  G01T1/20 E ,  G01T1/20 G

Fターム (68件)：

2G088EE03 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB20 ,  4M118GA10 ,  5F088AA11 ,  5F088AB13 ,  5F088BA03 ,  5F088BB07 ,  5F088DA05 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088GA02 ,  5F088GA03 ,  5F088KA08 ,  5F088LA08 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB10 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-313392   出願人：キヤノン株式会社
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• センサ及び非平面撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325368   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

審査官引用 (6件)

• センサ及び非平面撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325368   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 特開昭61-005578
  
• 特開昭62-042564
  
• 特開昭60-160170
  
• 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-076493   出願人：富士フイルム株式会社