特許
J-GLOBAL ID:200903090847159540

水素貯蔵材料、水素貯蔵材料の製造方法及び水素貯蔵材料の水素放出方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 河野 登夫 ,  河野 英仁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-316807
公開番号(公開出願番号):特開2006-124802
出願日: 2004年10月29日
公開日(公表日): 2006年05月18日
要約:
【課題】 水素原子とイオン結合可能な金属の電子配置及びスピン状態を変化せしめ、金属と水素原子との結合力を制御して、その水素放出温度を制御することができる水素貯蔵材料などを提供する。 【解決手段】 本発明の実施の形態1に係る水素貯蔵材料1は、2つの水素原子10とイオン結合が可能な2つのマグネシウム原子11と金属原子12とを含み、金属原子12が2つのマグネシウム原子11の間に配置された構造を有する。このように、金属原子12をマグネシウム原子11の間に配置(挿入)することによって、マグネシウム原子11の電子配置及びスピン状態が変化し、その変化に起因してマグネシウム原子11と水素原子10との結合力が弱くなる。したがって、マグネシウム原子11から水素原子10を離隔するために必要な活性化エネルギーが減少し、水素放出温度を下げることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
水素原子とイオン結合可能な複数の第1金属と、該第1金属とは異なる第2金属とを含み、前記第1金属への水素原子の吸着及び/又は前記第1金属からの水素原子の放出を行う水素貯蔵材料であって、 前記第2金属が各第1金属の間に配置されていること を特徴とする水素貯蔵材料。
IPC (4件):
C22C 23/00 ,  B01J 20/02 ,  B01J 20/34 ,  C01B 3/00
FI (4件):
C22C23/00 ,  B01J20/02 B ,  B01J20/34 H ,  C01B3/00 B
Fターム (10件):
4G066AA02B ,  4G066CA38 ,  4G066EA20 ,  4G066GA01 ,  4G066GA32 ,  4G066GA40 ,  4G140AA31 ,  4G140AA42 ,  4G140AA43 ,  4G140AA46
引用特許:
審査官引用 (2件)

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