半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-269528
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083792
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】研磨膜厚を高精度に管理することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】配線(機能パターン)の形成と同一工程でウエハ表面のスクライブライン3上にモニタパターン9を形成し、配線及びモニタパターン9を覆う状態でウエハ上に層間絶縁膜を形成し、モニタパターン9上における層間絶縁膜の膜厚を測定することによって研磨膜厚を管理しながら層間絶縁膜の平坦化研磨を行う半導体装置の製造方法において、スクライブライン3上に複数のモニタパターン9を形成し、これらのモニタパターン9上で測定される層間絶縁膜の膜厚に基づいて研磨膜厚を管理する。

請求項（抜粋）：

機能パターンの形成と同一工程でウエハ表面側のスクライブライン上にモニタパターンを形成し、前記機能パターン及びモニタパターンを覆う状態で前記ウエハ上に被研磨層を形成し、前記モニタパターン上で測定される前記被研磨層の膜厚に基づいて研磨膜厚を管理しながら当該被研磨層の平坦化研磨を行う半導体装置の製造方法において、前記モニタパターンを形成する工程では、前記スクライブライン上に複数のモニタパターンを形成し、前記被研磨層の平坦化研磨を行う工程では、前記複数のモニタパターン上で測定される前記被研磨層の膜厚に基づいて当該被研磨層の研磨膜厚を管理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/306 , H01L 21/66 , H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/304 622 S , H01L 21/66 Y , H01L 21/66 P , H01L 21/306 M , H01L 21/88 K , H01L 21/88 S

Fターム (20件)：

4M106AA01 , 4M106AA07 , 4M106AA12 , 4M106CA24 , 4M106CA48 , 4M106DH03 , 4M106DH57 , 4M106DJ32 , 5F033HH00 , 5F033QQ48 , 5F033RR00 , 5F033UU03 , 5F033VV12 , 5F033WW01 , 5F033XX01 , 5F043AA29 , 5F043DD16 , 5F043DD25 , 5F043FF07 , 5F043GG03

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-022189 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-304937 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-109231 出願人：ソニー株式会社

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