特許
J-GLOBAL ID:200903090926872421

ウェット処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 桑井 清一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-027253
公開番号(公開出願番号):特開平7-221066
出願日: 1994年01月31日
公開日(公表日): 1995年08月18日
要約:
【要約】【目的】 ウェット処理時に大気中の不純物が処理液に混入するのを防止するとともに、半導体基板用の処理液を再利用可能なウェット処理装置を提供する。【構成】 処理液81が蓄えられたウェット処理槽8の開口部(上部)に、N2ガスのカーテン2を形成するN2ガス供給部1aおよびN2ガス排出部1bを配設する。これにより、処理雰囲気の不純物が処理液81に混入するのを防止することが可能となる。処理槽8のリサイクル用の排水部11には処理液81中の金属を除去するカチオン交換樹脂12を配設する。カチオン交換樹脂12は、半導体基板7用の強酸性または強アルカリ性の処理液81の耐え得るものである。
請求項(抜粋):
半導体基板処理用の処理液が蓄えられた処理槽と、処理液面を不活性ガスで覆うガス供給機構とを備えたことを特徴とするウェット処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341
引用特許:
審査官引用 (13件)
  • 特開平4-009773
  • 特開平3-096234
  • 特開平3-096234
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