特許
J-GLOBAL ID：200903083379125261

極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計する方法およびマスクを製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム

発明者：
ズエロン シ

ズエロン シ について

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ジャン フン チェン

ジャン フン チェン について

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デュアン - フ スティーブン シュー

デュアン - フ スティーブン シュー について


出願人/特許権者：
アスムル マスクツールズ ビー.ブイ.

アスムル マスクツールズ ビー.ブイ. について


代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-103105
公開番号（公開出願番号）：特開2003-015273
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計、製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラムを提供すること。【解決手段】 光学近接効果(OPE)は主フィーチャと隣接するフィーチャの間の構造的相互作用に起因する。隣接するフィーチャによって生成される電界の位相に応じて、主フィーチャの臨界寸法およびプロセスラチチュードを、強め合う光電界干渉によって改善するか、または弱め合う光電界干渉によって劣化させることができる。隣接するフィーチャによって生成される電界の位相はピッチならびに照明角に依存する。所与の照明角に対して、禁制ピッチ領域は、隣接するフィーチャによって生成される電界が主フィーチャの電界と弱め合うように相互作用する位置である。本発明は、任意のフィーチャサイズおよび照明条件に対して禁制ピッチ領域を識別し、除去するための方法を提供する。
請求項（抜粋）：
リソグラフィ装置を使用して基板上にリソグラフィパターンを転写するためのマスクパターンを設計するときに極端相互作用ピッチ領域を識別する方法であって、(a)第1のピッチおよび第1の照明角に対する照明強度を決定するステップと、(b)前記第1のピッチおよび前記第1の照明角に対して回転対称である第2の照明角に対する照明強度を決定するステップと、(c)前記第1の照明角と前記第2の照明角に関連する照明強度を組み合わせることによって前記第1のピッチに対する全照明強度を決定するステップと、(d)前記全照明強度の対数傾斜を決定するステップと、(e)ピッチに対する前記全照明強度の対数傾斜の導関数の値がほぼ0に等しい場合、前記第1のピッチを極端相互作用ピッチ領域として含有するピッチ領域を識別するステップとを含む方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 D
Fターム (5件)：
2H095BB01 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17 ,  5F046CB25 ,  5F046DA12
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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