特許

J-GLOBAL ID：200903090985403117

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 石丸 哲也 ,  嶋本 泰洋 ,  峰 利之 ,  青木 康伸 ,  鳥羽 功一 ,  安井 感
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-119122
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277530
出願日： 2007年04月27日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】不揮発性半導体記憶装置のデータ保持特性を向上させる。【解決手段】電荷蓄積部である窒化シリコン膜SINと、その上下に位置する酸化膜BOTOX、TOPOXの積層膜からなるONO膜、その上部のメモリゲート電極MG、ソース領域MSおよびドレイン領域MDを有し、ホットキャリア注入により書込みもしくは消去を行うメモリセルにおいて、窒化シリコン膜SINに含まれるN-H結合とSi-H結合の合計密度を5×1020cm-3以下にする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板中に形成された一対のソース及びドレイン領域と、 前記ソース及びドレイン領域の間の前記半導体基板の領域上に形成された第1のゲート電極と、 前記半導体基板の表面と前記第1のゲート電極との間に形成された電荷蓄積部と、 を有し、 前記電荷蓄積部は、N-H結合とシリコンとSi-H結合との合計の密度が5×1020cm-3以下の第1の窒化膜を含み、 前記電荷蓄積部にホットキャリアの注入により書込み又は消去が行なわれることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (20件)：

5F083EP18 ,  5F083EP33 ,  5F083EP35 ,  5F083EP50 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER02 ,  5F083ER11 ,  5F083GA11 ,  5F083PR21 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BF02 ,  5F101BF05 ,  5F101BH02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-028909   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-155297   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-100264   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-155297   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 電荷損失が減少された窒化物層を備えるメモリセル構造及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-525399   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
• 特開平3-159166
  
• 不揮発性半導体メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-139302   出願人：ソニー株式会社