不揮発性半導体メモリデバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-139302
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319082
出願日： 2005年05月12日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】データ保持特性を維持または改善しながら低電圧化を図る。【解決手段】本デバイスは、チャネルが形成される半導体層10と、チャネルを制御する電極30mとの間に、半導体層10側から順に、第1絶縁膜21、第2絶縁膜22および第3絶縁膜23を有する。第1絶縁膜21、第2絶縁膜22および第3絶縁膜23の各組成に含まれている元素の種類が同じであり、かつ、第1絶縁膜21および第3絶縁膜23が、第2絶縁膜22に比べ電荷トラップ密度が低い。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

チャネルが形成される半導体層と、チャネルを制御する電極との間に、前記半導体層側から順に、第1絶縁膜、第2絶縁膜および第3絶縁膜を有する不揮発性半導体メモリデバイスであって、前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜の各組成に含まれている元素の種類が同じであり、かつ、前記第1絶縁膜および前記第3絶縁膜が、前記第2絶縁膜に比べ電荷トラップ密度が低い不揮発性半導体メモリデバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/10 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 481 , H01L27/10 434

Fターム (27件)：

5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP77 , 5F083EP79 , 5F083ER02 , 5F083ER05 , 5F083ER11 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA36 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR43 , 5F083PR53 , 5F101BA42 , 5F101BA45 , 5F101BB02 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BD07 , 5F101BD21 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BD36 , 5F101BH02 , 5F101BH21

引用特許：

出願人引用 (1件)

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-187794 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (11件)

不揮発性半導体メモリ装置およびその動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-267855 出願人：ソニー株式会社
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-079123 出願人：ソニー株式会社
特開平3-009571

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