特許
J-GLOBAL ID：200903091061765604
CPP-GMR再生ヘッドおよびその製造方法、ならびに、強磁性フリー層およびその磁歪制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-071211
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282073
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】 正の小さな磁歪をもつ強磁性フリー層およびその磁歪制御方法、ならびに、そのような強磁性フリー層を備えたCPP-GMR再生ヘッドおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 CPP-GMR再生ヘッドにおいて、フリー層17は、酸素暴露処理された銅層31bと、酸素暴露処理がなされていない銅層20とを含む。加えて、銅スペーサ層16は、酸素暴露処理のなされた銅層31aを含む。これにより、フリー層17の磁歪の値を適切な値(例えば、正の小さな値)に調整することが容易である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
強磁性フリー層の磁歪を制御する方法であって、
基体上に第1の銅層を形成する工程と、
前記第1の銅層を酸素に暴露する工程と、
前記第1の銅層の上に第2の銅層を形成する工程と、
前記第2の銅層の上に第1の強磁性層を形成する工程と、
前記第1の強磁性層の上に第3の銅層を形成する工程と、
前記第3の銅層を酸素に暴露する工程と、
前記第3の銅層の上に第2の強磁性層を形成する工程と、
前記第2の強磁性層の上に第4の銅層を形成する工程と、
前記第4の銅層の上に第3の強磁性層を形成することにより、前記第3および第4の銅層ならびに第1ないし第3の強磁性層からなる強磁性フリー層の形成を完了する工程と
を含み、
以上の工程により、前記強磁性フリー層が正の磁歪定数を有するように制御する
ことを特徴とする強磁性フリー層の磁歪制御方法。
IPC (5件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L43/12
H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L43/12
5D034BA03
, 5D034BA06
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
