基板をエッチングするための方法と装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：市東篤 , 市東禮次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-013130
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148156
出願日： 2006年01月20日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】絶縁性下層付き基板の局所的ノッチングを減少させる方法を提供する。【解決手段】チャンバー内の絶縁性下層3付き基板1に形状をエッチングする際に、プラズマによるエッチング・ステップとプラズマによる不動態化層の蒸着ステップとを交互に繰り返す。そして、少なくともエッチング・ステップ期間中にプラズマ中に存在するイオン群6,7の主要成分のイオンプラズマ周波数以下のバイアス(低周波数バイアス)を基板1に印加することにより、又はエッチング・ステップ期間中に繰り返しパルス化されるパルス化バイアス周波数を基板1に印加することにより、基板1の局所的エッチング又は絶縁性下層3との界面における電荷損傷を減少又は排除する。好ましくは、少なくともエッチング・ステップ期間中に繰り返しパルス化される低周波数バイアスを基板に印加する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバー内の絶縁性下層付き基板に形状をエッチングする方法であって、プラズマによるエッチング・ステップとプラズマによる不動態化層の蒸着ステップとを交互に繰り返し行い、少なくともエッチング・ステップ期間中にプラズマ中に存在するイオン群の主要成分のイオンプラズマ周波数以下のバイアス周波数を基板に印加して基盤の局所的エッチング又は絶縁性下層との界面における電荷損傷を減少又は排除することを特徴とする方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/302 105A , H01L21/302 301S

Fターム (10件)：

5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB12 , 5F004BD04 , 5F004DA00 , 5F004DA18 , 5F004DB01 , 5F004EA13 , 5F004EA28 , 5F004EA37

引用特許：

出願人引用 (3件)

国際公開第94/14187号パンフレット(WO-A-94/14187号明細書)
欧州特許出願公開第0822582号明細書
欧州特許出願公開第0822584号明細書

審査官引用 (7件)

特開平2-105413
半導体基盤の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-206672 出願人：サーフィステクノロジーシステムズリミテッド
特開平4-114427

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