特許

J-GLOBAL ID：200903091078815320

シリコンカーバイドにおける半導体デバイス

発明者： ヘルマンソン,ウィリー ,  ラムベルグ,レンナート ,  ジグルド,ダグ
出願人/特許権者： エービービー リサーチ リミテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-522200
公開番号（公開出願番号）：特表平9-511103
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】本方法は、プロトンまたはイオン注入によりシリコンカーバイド領域を導電性から抵抗性に再構成する方法に関し、この注入方法を用いてp-n接合部を含む半導体デバイスを製造する。この半導体デバイスでは、p-導電性層およびn-導電性層がシリコンカーバイド(SiC)のドープされた層として設計されており、よって次の工程、すなわち半絶縁層を備えたデバイスのシリコンカーバイド表面をパッシベートする工程と、製造中にp-n接合部の領域を境界を定める工程と、半絶縁層によりp-n接合部のエッジをターミネートする工程と、1つの同じシリコンカーバイドウェーハ上に複数のデバイスを製造する際に異なるデバイスを互いに絶縁する工程の少なくとも1つのために注入方法を使用する。本発明は注入方法自体にも関する。

請求項（抜粋）：

ドープされたシリコンカーバイドのウェーハ(W)において高抵抗領域(5)を得るための方法であって、 領域(5)の電気導電率特性が導電性から抵抗性に変化するように、照射された領域内のシリコンカーバイドの結晶構造を変える、使用されたイオンエネルギによって与えられた、シリコンウェーハ(W)内の範囲の深さをカバーする抵抗性領域(5)を得るための注入方法で、領域(5)をエネルギーの変化するイオンで照射することを特徴とする方法。

IPC (7件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (8件)：

H01L 21/265 J ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/74 Q ,  H01L 29/74 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-360882   出願人：新電元工業株式会社, 株式会社秋田新電元
• 特公昭36-001690
  
• 耐電圧降伏性単結晶炭化ケイ素半導体デバイス及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-529035   出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• A simple edge termination for silicon carbide devices with nearly ideal breakdown voltage