半導体エネルギー検出素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-102625
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291853
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】エネルギー線の検出感度及び応答速度の低下を抑制することができると共に、エネルギー線が検出可能となる部分の面積を拡大することが可能な半導体エネルギー検出素子を提供すること。【解決手段】フォトダイオードアレイ1は、第2導電型の拡散層としてのP+拡散層3,4、N+チャンネルストップ層6,7、N+拡散層8等を含んでいる。P+拡散層3,4、及び、N+チャンネルストップ層6,7は、半導体基板2の入射面に対する裏面側に設けられている。N+チャンネルストップ層6は隣り合うP+拡散層3,4の間に設けられており、P+拡散層3,4を分離するように格子形状を呈している。N+チャンネルストップ層7はP+拡散層3の配列の外側にN+チャンネルストップ層6と連続して枠状に設けられている。N+チャンネルストップ層7はN+チャンネルストップ層6よりも幅広とされている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体からなり、入射面から所定波長域のエネルギー線が入射する半導体基板を備え、前記半導体基板の前記入射面に対する裏面側には、第2導電型の半導体からなる第2導電型の拡散層が所定の間隔で複数配列されており、前記第2導電型の拡散層の間には、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い第1導電型の半導体からなり、前記第2導電型の拡散層を分離するための第1の第1導電型の拡散層が設けられ、前記第2導電型の拡散層の配列の外側には、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い第1導電型の半導体からなり、前記第1の第1導電型の拡散層よりも幅広に形成された第2の第1導電型の拡散層が設けられていることを特徴とする半導体エネルギー検出素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 , H01L 31/09

FI (2件)：

H01L 27/14 K , H01L 31/00 A

Fターム (18件)：

4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118AB02 , 4M118BA06 , 4M118CA03 , 4M118CA26 , 4M118GA02 , 4M118GA10 , 5F088AA02 , 5F088AA03 , 5F088AB03 , 5F088BA01 , 5F088BA02 , 5F088BA20 , 5F088CB09 , 5F088EA04 , 5F088GA04 , 5F088LA07

引用特許：

出願人引用 (4件)

固体放射線検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-010685 出願人：株式会社エスアイアイ・アールディセンター
半導体光検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-288951 出願人：浜松ホトニクス株式会社
特開平3-148869

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