特許
J-GLOBAL ID:200903091110419717

半導体支持装置、その製造方法、接合体の製造方法および接合体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-197666
公開番号(公開出願番号):特開2000-106391
出願日: 1999年07月12日
公開日(公表日): 2000年04月11日
要約:
【要約】【課題】絶縁性材料製の基体と、基体中に埋設される導電性部材と、導電性部材に接続されている端子とを備える半導体支持装置において、絶縁性材料と端子との接合部の通電サイクルに対する耐久性を向上させる。【解決手段】半導体支持装置は、絶縁性材料からなる基体2と、基体2中に埋設されている導電性部材5と、導電性部材5に対して接続されている端子11であって、導電性を有する金属マトリックス-セラミックス複合体からなる端子11を備えている。
請求項(抜粋):
絶縁性材料からなる基体と、この基体中に埋設されている導電性部材と、この導電性部材に対して接続されている端子であって、導電性を有する金属マトリックス-セラミックス複合体からなる端子を備えていることを特徴とする、半導体支持装置。
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る