半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147788
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340530
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】抗折強度の十分な強度を確保した半導体チップを具備した極めて簿い半導体装置とその製造方法。【解決手段】半導体ウエハ1の薄肉化加工が終了後に、形成されている半導体チップ3a、3b、3c・・・3nの裏面に対して面取り加工を行う。

請求項（抜粋）：

回路形成面の裏面を構成するチップエッジ部の少なくとも一部が面取りされている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 601 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 631 , H01L 21/02 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 601 B , H01L 21/304 621 E , H01L 21/304 631 , H01L 21/02 B , H01L 21/306 B

Fターム (8件)：

5F043AA01 , 5F043BB02 , 5F043DD30 , 5F043EE35 , 5F043FF01 , 5F043FF07 , 5F043FF10 , 5F043GG01

引用特許：

審査官引用 (9件)

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