特許
J-GLOBAL ID：200903091183719921

基板処理装置および基板処理システム

発明者：
佐藤 雅伸

佐藤 雅伸 について

, 
森西 健也

森西 健也 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (2件)： 梁瀬 右司 ,  振角 正一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-301357
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140054
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】処理中に発生したミストが基板の他方主面に付着することを効果的に防止して基板処理を良好に行うことができる基板処理装置および基板処理システムを提供する。【解決手段】雰囲気遮断部材2と基板Sとで挟まれた空間SPに雰囲気ガスを送り込んでいるので、基板周囲(ミスト飛散雰囲気)よりも陽圧となり、基板Sの他方主面S2側へのミスト侵入が効果的に防止される。さらに、雰囲気遮断部材2の周縁と基板Sとの微小隙間CLは0.3mm〜1mmとなっている。このため、基板Sの姿勢を安定させたまま、微小隙間CLを介してミストが回り込むのを防止することができる。なお、隙間の間隔を0.3mm〜0.8mmに設定することで、微小空間SPに送り込む雰囲気ガスの供給流量を抑えて基板姿勢をより安定して、かつ低ランニングコストで基板処理を行うことができる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置において、 前記基板を支持する基板支持手段と、 前記基板支持手段により支持されている前記基板の他方主面に対向させながら前記基板に近設された雰囲気遮断部材と、 前記雰囲気遮断部材と前記基板との間に形成される空間に雰囲気ガスを供給するガス供給ユニットとを備え、 前記基板支持手段により支持された前記基板の他方主面と、前記雰囲気遮断部材の周縁との間隔が0.3mm〜1mmとなっていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (5件)：
H01L21/304 ,  B08B3/02 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68
FI (7件)：
H01L21/304 643A ,  H01L21/304 648A ,  B08B3/02 C ,  G03F7/16 502 ,  H01L21/68 N ,  H01L21/30 564C ,  H01L21/30 569C
Fターム (28件)：
2H025AA00 ,  2H025EA05 ,  3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB23 ,  3B201AB27 ,  3B201AB34 ,  3B201AB42 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201CC01 ,  3B201CC13 ,  5F031CA01 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA07 ,  5F031HA24 ,  5F031HA26 ,  5F031HA27 ,  5F031HA48 ,  5F031HA59 ,  5F031MA23 ,  5F031MA24 ,  5F031MA26 ,  5F031NA18 ,  5F031PA26 ,  5F046JA08 ,  5F046LA07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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