透明導電膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091327
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264021
出願日： 1995年03月26日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)目的:バンドギャップが約2.9eVで、光屈折率が2.4という値を有し、Zn、およびInを含む酸化物、ZnO-In2O3で示される擬2元系において、少なくとも1種のZn2In2O5を主成分とする新しい透明導電膜を提供し、高い導電性と優れた光学的特性を実現する。また該膜を製造するために使用されるタ-ゲット材を提供する。構成:擬2元系ZnO-In2O3において、Zn/(Zn+In)で示されるZn量を5〜45原子%の範囲にある組成を有する混合粉末、または必要に応じて焼成あるいは成型、焼結したタ-ゲット材を用いて基体上に少なくとも1種のを主成分とする酸化物透明導電膜を形成することにより目的を達成できる。

請求項（抜粋）：

【請求項 1】基体上に、亜鉛(Zn)、インジウム(In)を含む酸化物膜、即ちZnO-In2O3で示される擬2元系において少なくとも1種のZn2In2O5を成分とする酸化物膜を形成して成ることを特徴とする透明導電膜。【請求項 2】前記請求項1記載のZn2In2O5のZnまたはInに対しIV族またはVII族元素を0.1から20原子%、好ましくは1から10原子%の範囲で添加したことを特徴とする請求項1記載の透明導電膜。【請求項 3】前記請求項2記載のIV族元素がシリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、チタニウム(Ti)あるいはジルコニウム(Zr)である請求項1または2記載の透明導電膜。【請求項 4】前記請求項2記載のVII族元素がフッ素(F)であり、その添加範囲は酸素(O)に対し0.1〜20%、好ましくは1〜10%であることを特徴とする請求項1または2記載の透明導電膜。【請求項 5】前記請求項2記載のZn2In2O5のZnまたはInに対しイットリウム(Y)を0.1から20原子%、好ましくは1から10原子%の範囲で添加したことを特徴とする請求項1〜3または4記載の透明導電膜。【請求項 6】前記請求項1〜4または5記載の透明導電膜を製造するために使用され、Zn/(Zn+In)で示されるZn量が5〜45原子%の範囲にあることを特徴とするZnO-In2O3系焼結体。

IPC (5件)：

H01B 5/14 , C01G 15/00 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , C23C 16/40

FI (5件)：

H01B 5/14 A , C01G 15/00 B , C23C 14/08 K , C23C 14/34 A , C23C 16/40

引用特許：

審査官引用 (5件)

透明導電膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-334732 出願人：出光興産株式会社
特開昭63-241805
特開昭61-205619

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