特許
J-GLOBAL ID：200903091214540275

垂直共振器型面発光半導体レーザ装置

発明者：
村上 朱実

村上 朱実 について

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中山 秀生

中山 秀生 について

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桑田 靖章

桑田 靖章 について

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鈴木 貞一

鈴木 貞一 について

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石井 亮次

石井 亮次 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (2件)： 片寄 恭三 ,  片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-169673
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353647
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 面発光型半導体レーザと保護素子を集積化することで静電破壊電圧を向上させ、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザ装置1は、n型のGaAs基板200上にp型のGaAs層210を含むツェナーダイオード20と、ツェナーダイオード20上に積層されるVCSEL10とを有する。GaAs基板200の裏面には、n側電極層220が形成され、n側電極層220がVCSEL10のp側電極層115に電気的に接続される。また、p型のGaAs層210とVCSELのn型の下部DBRミラー層103とが電極層230によって電気的に接続される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
保護素子を含む半導体レーザ装置であって、 第1導電型の第1の半導体領域および該第1の半導体領域と接合する第2導電型の第2の半導体領域を含むツェナーダイオードと、 該ツェナーダイオード上に積層され、少なくとも第1導電型の第1のミラー層、第2導電型のミラー層および第1、第2のミラー層にサンドイッチされた活性領域とを含む面発光型半導体レーザとを有し、 第1の半導体領域と第2のミラー層が電気的に接続され、第2の半導体領域と第1のミラー層とが電気的に接続される、 半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
H01S5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (16件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC22 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AD30 ,  5F173AF03 ,  5F173AH02 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ13 ,  5F173AK02 ,  5F173AK08 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP66
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-271037   出願人：ローム株式会社
  • 米国特許6,185,240B1
  • 光半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-306349   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
審査官引用 (5件)
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