特許
J-GLOBAL ID：200903091223952039

放射線撮像装置及び放射線撮像システム

発明者：
望月 千織

望月 千織 について

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渡辺 実

渡辺 実 について

, 
石井 孝昌

石井 孝昌 について

, 
森下 正和

森下 正和 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-161643
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329434
出願日： 2006年06月09日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】 例えば、変換素子の感度を向上させることができることを課題とする。【解決手段】 放射線撮像装置は、絶縁性基板100上に、放射線を電荷に変換する変換素子101と変換素子101に接続されたスイッチング素子102とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する。変換素子101は、上部電極層119と、下部電極層115と、上部電極層119と下部電極層115との間に配置された半導体層117とを有する。上部電極層119は、少なくとも半導体層117が配置された領域内に間隙200を有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に、放射線を電荷に変換する変換素子と前記変換素子に接続されたスイッチ素子とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する放射線撮像装置であって、 前記変換素子は、第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に配置された半導体層とを有し、 前記第1の電極層又は前記第2の電極層は、少なくとも前記半導体層が配置された領域内に間隙を有することを特徴とする放射線撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  G01T 1/20 ,  G01T 1/24
FI (5件)：
H01L27/14 K ,  H01L27/14 C ,  G01T1/20 G ,  G01T1/20 E ,  G01T1/24
Fターム (27件)：
2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CA19 ,  4M118CA21 ,  4M118CB02 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB19 ,  4M118FB24 ,  4M118GA10
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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