特許

J-GLOBAL ID：200903022099107455

放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線撮像システム

発明者： 野村 慶一 ,  森下 正和
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-170127
公開番号（公開出願番号）：特開2004-015001
出願日： 2002年06月11日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】積層構造により開口率の向上を図ると共に、簡略な工程による放射線検出装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の金属層により形成されたスイッチTFTのゲート電極204及び駆動配線202と、その上に順次積層された第1の絶縁層205、第1の半導体層206と、その上に積層されたオーミックコンタクト層207と、その上に積層された第2の金属層により形成されたスイッチTFTのソース・ドレイン電極209と信号線210、及び放射線信号変換素子の下電極と、その上に順次積層された第2の絶縁層301、第2の半導体層302、及び所定部分に形成された第2のオーミックコンタクト層303と、接続孔306と、積層された第3の金属層により形成された放射線信号変換素子のバイアス配線208と、その上に積層された透明電極層304と、保護層220とによって構成されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

放射線信号変換素子がスイッチTFT上に積層して構成された放射線検出装置であって、 第1の金属層により形成された前記スイッチTFTのゲート電極及び駆動配線と、 前記第1の金属層上に順次積層された第1の絶縁層、第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に積層されたオーミックコンタクト層と、 前記オーミックコンタクト層上に積層された第2の金属層により形成された前記スイッチTFTのソース・ドレイン電極と信号線、及び前記放射線信号変換素子の下電極と、 前記オーミックコンタクト層又は第2の金属層上に順次積層された第2の絶縁層、第2の半導体層、及び所定部分に形成された第2のオーミックコンタクト層と、 少なくとも前記第2の絶縁層、第2の半導体層を貫通して形成された接続孔と、 前記第2のオーミックコンタクト層上に積層された第3の金属層により形成された前記放射線信号変換素子のバイアス配線と、 前記バイアス配線上に積層された透明電極層と、 上面に積層して形成された保護層と、 を有することを特徴とする放射線検出装置。

IPC (6件)：

H01L27/146 ,  G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H01L29/786 ,  H01L31/09

FI (6件)：

H01L27/14 C ,  G01T1/20 E ,  G01T1/24 ,  H01L31/00 A ,  H01L27/14 K ,  H01L29/78 613Z

Fターム (77件)：

2G088EE01 ,  2G088EE30 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ04 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA19 ,  4M118CA07 ,  4M118CA11 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118DD12 ,  4M118FA33 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  4M118HA26 ,  5F088AA01 ,  5F088AB05 ,  5F088BA01 ,  5F088BA03 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088BB10 ,  5F088CA02 ,  5F088CB07 ,  5F088CB14 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088EA14 ,  5F088FA03 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088FA09 ,  5F088FA12 ,  5F088GA02 ,  5F088HA11 ,  5F088HA15 ,  5F088KA03 ,  5F088KA08 ,  5F088LA08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ11 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-329888   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタアレー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-305141   出願人：キヤノン株式会社
• 光電変換装置及びそれを用いたX線検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-208368   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置及び放射線検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-142005   出願人：キヤノン株式会社
• 撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-187886   出願人：キヤノン株式会社