放射線撮像装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-170128
公開番号（公開出願番号）：特開2004-015002
出願日： 2002年06月11日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】MIS型PDとスイッチTFTの両デバイス特性を夫々、単独に改善することが可能なデバイス構成を提案し、更なる、感度向上を達成することを課題とする。【解決手段】放射線を可視光に変換する波長変換体と、可視光を電気信号に変換する画素電極11と、絶縁層12、半導体層13とを備えた光電変換素子と、光電変換素子で変換された電気信号の読み出しを制御するトランジスタとが、それぞれ配列された放射線撮像装置であって、光電変換素子はトランジスタの波長変換体側に積層して形成され、画素電極11は画素ごとに分割され且つ、半導体層は複数の画素に渡って延在している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

放射線を可視光に変換する波長変換体と、該可視光を電気信号に変換する画素電極、絶縁層、半導体層とを備えた光電変換素子と、前記光電変換素子で変換された電気信号の読み出しを制御するトランジスタとが、それぞれ備えられた放射線撮像装置であって、前記光電変換素子は前記トランジスタの波長変換体側に積層して形成され、前記画素電極は画素ごとに分割され且つ、前記半導体層は複数の画素に渡って延在していることを特徴とする放射線撮像装置。

IPC (6件)：

H01L27/146 , G01T1/20 , H01L27/14 , H01L31/02 , H04N5/321 , H04N5/335

FI (7件)：

H01L27/14 C , G01T1/20 E , G01T1/20 G , H04N5/321 , H04N5/335 U , H01L27/14 K , H01L31/02 A

Fターム (29件)：

2G088EE01 , 2G088EE30 , 2G088FF02 , 2G088FF04 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ31 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA02 , 4M118CA32 , 4M118CB11 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB24 , 4M118FB25 , 5C024AX12 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5F088AA04 , 5F088BB03 , 5F088BB07 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088KA08 , 5F088LA08

引用特許：

審査官引用 (5件)

光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-329888 出願人：キヤノン株式会社
X線画像検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-201719 出願人：フィリップスエレクトロニクスエヌベー
アモルファス・シリコン層センサ及びセンサの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-400871 出願人：ゼロックスコーポレーション

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