特許
J-GLOBAL ID：200903091261980968
多孔質層付きシリコン基板を製造する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 正行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-419064
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183505
出願日： 2003年12月17日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】有害ガスを副生することなく、多孔質層を安価に形成することのできる、量産性に富んだ太陽電池製造方法を提供する。【解決手段】銀イオンを含有する、過酸化水素などの酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液に、多結晶シリコン基板を浸すことにより、基板の表面に多孔質シリコン層を形成することを特徴とし、場合により更にアルカリ処理をして上方の多孔質層を除去することによりテクスチャー構造を形成することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液に、シリコン基板を浸すことにより、基板の表面に多孔質シリコン層を形成することを特徴とする多孔質層付きシリコン基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/306 B
, H01L31/04 H
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043FF10
, 5F051AA03
, 5F051CB21
, 5F051GA15
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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