特許
J-GLOBAL ID：200903091262945953
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204941
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054508
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 平坦性に優れた層間絶縁膜を得て、半導体装置としての信頼性を高めること。【解決手段】 半導体Si基板52の表面には、配線部56と電極部1とが形成されている。電極部1はスリット2〜4により複数の導電部5に細分化されている。このように、電極部1を細分化することで、配線部56及び電極部1を覆う絶縁膜8(6)の表面の凹凸が小さくなって、CMPによる表面の平坦化処理を良好に行うことができる。
請求項（抜粋）：
ボンディングパッドに絶縁層を介して電気的に接続される電極部が、ボンディングパッドよりも小さな面積を有することを特徴とした半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/60 301
H01L 21/88 T
, H01L 21/60 301 N
