特許

J-GLOBAL ID：200903091284198086

半導体装置の製造方法および半導体装置および半導体ウェハ

発明者： 石田 昌宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-241499
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101567
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 破壊限界以上の歪が加わった場合においても、クラックの影響を軽減して歩留り率の高い半導体装置を形成することが可能な半導体装置やクラック発生の抑制が可能な半導体装置の製造方法などを提供する。【解決手段】 基板上の複数の半導体層からなるデバイス領域に形成される半導体装置の製造方法であって、デバイス領域の周囲の基板上に溝を形成する溝形成ステップと、デバイス領域に半導体層を成長させる半導体成長ステップとを有する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

複数の半導体層からなるデバイス領域に形成される半導体装置の製造方法であって、 デバイス領域の周囲に溝が形成されている基板を用いて、前記デバイス領域に半導体層を成長させる半導体成長ステップ を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (5件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-234881   出願人：株式会社東芝
• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-191780   出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (1件)

• 窒化物系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-239326   出願人：三洋電機株式会社