特許

J-GLOBAL ID：200903016360847046

III族窒化物系化合物半導体素子

発明者： 柴田 直樹 ,  千代 敏明 ,  千田 昌伸 ,  伊藤 潤 ,  渡邉 大志 ,  浅見 慎也 ,  浅見 静代
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-191780
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009341
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 新規な構成の下地層を有するIII族窒化物系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 基板11の上には六角錐台形の凸部を有するMgが1020/cm3以上ドープされたGaNからなる下地層15が形成され、この下地層の上に素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層が順次積層されている。このように構成されたIII族窒化物系化合物半導体素子によれば、その表面が六角錐台の凸部を有する形状とされることにより、III族窒化物系化合物半導体層と下地層を含めた基板との間の歪みが緩和される。その結果、III族窒化物系化合物半導体層へクラックが入ることを未然に防止できる。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の上に形成され、表面に六角錐台形の凸部を有する下地層と、該下地層の上に形成され、素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層と、を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 31/10 A

Fターム (28件)：

5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049PA04 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F049SS04 ,  5F049SS07 ,  5F049SS08 ,  5F049WA03 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 発光ダイオ-ドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-154957   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化ガリウム系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292684   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体基板および窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-067553   出願人：日亜化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Mg-doped GaN: Similar defects in bulk crystals and layers grownon Al2O3 by metal-organic chemical-va