特許
J-GLOBAL ID：200903091289331906
フッ素ガスまたは三フッ化窒素ガス発生用炭素電極及びそれを用いたフッ素ガスまたは三フッ化窒素ガス発生装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
梶 良之
, 須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-094891
公開番号（公開出願番号）：特開2004-211205
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】CF4の含有量の少ない高純度のF2、NF3を製造でき、これらF2またはNF3をオン・サイトで安定的に供給するための高純度のF2またはNF3発生用炭素電極及びそれを用いた高純度のF2またはNF3発生装置を提供することを目的とする。【解決手段】炭素粒子間の結合力が、ACT-JP法による測定値で0.2(g/mm3)以上である炭素粒子間の結合力の高い炭素質材料を高純度F2またはNF3発生用炭素電極として使用することによってCF4の発生を抑制する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
高純度のフッ素ガスまたは三フッ化窒素ガスを発生するための炭素電極であって、前記炭素電極が、下記条件によるACT-JP法により測定した値が0.2(g/mm3)以上である高純度のフッ素ガスまたは三フッ化窒素ガス発生用炭素電極。
噴射ノズル径 :5.2mm
噴射材 :アルミナ
気流圧力 :5kg/cm2
噴射材入射角 :90°
噴射気流の流量:390cm3/min
噴射材の量 :70g/回
噴射ノズルから試料表面までの距離:100mm
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4K011AA02
, 4K011AA16
, 4K011AA69
, 4K011DA09
, 4K021AA04
, 4K021AB09
, 4K021BA04
, 4K021BC07
, 4K021CA09
, 4K021DA13
, 4K021DC15
出願人引用 (2件)
-
三弗化窒素ガスの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-139539
出願人：渡辺信淳, 三井東圧化学株式会社
-
三弗化窒素ガスの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-139543
出願人：渡辺信淳, 三井東圧化学株式会社
審査官引用 (2件)
前のページに戻る
