特許
J-GLOBAL ID:200903091291270035

マイクロセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柏木 明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-041485
公開番号(公開出願番号):特開平8-233765
出願日: 1995年03月01日
公開日(公表日): 1996年09月13日
要約:
【要約】【目的】 単結晶シリコン基板に異方性エッチングで形成する空洞の底面に結晶欠陥に起因した凸部が残存せず、単結晶シリコン基板の表面の薄膜が空洞上に突出しないマイクロセンサを得る。【構成】 異方性エッチングでセンサ部20の裏側に空洞40を形成する単結晶シリコン基板39の表面を(110)面とする。異方性エッチングを一時停止させる結晶欠陥が単結晶シリコン基板39に存在しても、その下部にエッチングが進行して欠陥形状が除去されるので、空洞40が良好な形状に形成されてセンサ部20の精度が改善される。センサ部20の両側で異方性エッチングが外方に進行しないので、空洞40上に薄膜29が突出せず、これに連続して形成されるセンサ部20の強度が良好である。
請求項(抜粋):
薄膜状のセンサ部を単結晶シリコン基板の表面に形成し、この単結晶シリコン基板の前記センサ部の裏側に空洞を異方性エッチングにより形成したマイクロセンサにおいて、単結晶シリコン基板の表面を(110)面としたことを特徴とするマイクロセンサ。
IPC (5件):
G01N 27/18 ,  G01F 1/68 ,  G01N 27/12 ,  G01P 5/12 ,  H01L 21/306
FI (6件):
G01N 27/18 ,  G01F 1/68 ,  G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 G ,  G01P 5/12 C ,  H01L 21/306 B
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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