特許
J-GLOBAL ID：200903091294749226
電界効果トランジスタの製造方法及び電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-051184
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234676
出願日： 2006年02月27日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】ヒステリシス特性が小さく(略0ボルト)、ソース電極あるいはドレイン電極から電流信号が時間的に略一定となる電界効果トランジスタを実現する。【解決手段】本発明の電界効果トランジスタの製造方法は、ソース電極5及びドレイン電極6の設置位置にそれぞれ触媒層4a・4bを形成し、触媒層4a・4bからカーボンナノチューブ7を成長させる成長工程と、触媒層4a・4b及びカーボンナノチューブ7上に、ソース電極5及びドレイン電極6の金属材料からなる電極金属12を堆積する第1の堆積工程と、電極金属12上におけるソース電極5及びドレイン電極6の形成位置をマスクするように第2の層14を堆積する第2の堆積工程と、電極金属12に対して選択的なエッチングを行い、下に配されたカーボンナノチューブ7を露出させるエッチング工程とを含むので、カーボンナノチューブ7周辺にフォトレジスト残渣が付着するということが起こらなくなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備え、チャネルが超微細繊維で構成された電界効果トランジスタの製造方法であって、
ソース電極及びドレイン電極の設置位置にそれぞれ触媒層を形成し、その触媒層から超微細繊維を成長させる成長工程と、
触媒層及び超微細繊維上に、ソース電極及びドレイン電極の金属材料からなる第1の層を堆積する第1の堆積工程と、
上記第1の層上におけるソース電極及びドレイン電極の形成位置をマスクするように第2の層を堆積する第2の堆積工程と、
上記第1の層に対して選択的なエッチングを行い、下に配された超微細繊維を露出させるエッチング工程とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/28
H01L29/78 618B
, H01L29/78 616K
, H01L21/28 301B
4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB09
, 4M104BB36
, 4M104EE03
, 4M104EE17
, 4M104GG08
, 5F110AA30
, 5F110BB13
, 5F110CC01
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE30
, 5F110FF03
, 5F110GG01
, 5F110GG41
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110QQ14
