カーボンナノチューブFET

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章 , 今村健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-141177
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322836
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

【課題】高性能なn型CN-FETを簡単に形成する。【解決手段】 CN-FET1は、p+型Si基板3と、その表面上に形成された厚さ100nmのSiO2酸化膜5と、その上にある距離だけ離間して形成されたCo/Pt触媒7a、7bと、Co/Pt触媒7aと7bとの間に形成されたカーボンナノチューブ11と、カーボンナノチューブ11のそれぞれの端部と接するように形成されたCa金属15a、15bと、Ca金属15a、15bの上に形成されたAl電極17a、17bと、を有するソース電極(15a/17a)及びドレイン電極(15b/17b)と、p+型Si基板3の裏面に形成されたTi/Auからなるバックゲート電極21と、を有している。仕事関数φmの小さい(2.87eV)Ca金属15a、15bが、カーボンナノチューブCNT11の両端にそれぞれ接触している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

カーボンナノチューブからなるチャネル層と、該カーボンナノチューブからなるチャネル層に対して形成されたゲート電極と、前記チャネル層と接する領域に形成されるアルカリ金属又はアルカリ土類金属のうち少なくともいずれか一方を含むソース電極及びドレイン電極とを有することを特徴とするn型CN-FET構造。

IPC (8件)：

H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/331 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/73

FI (8件)：

H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/06 601N , H01L29/72 Z , H01L27/08 321A , H01L29/78 616V , H01L29/50 M

Fターム (55件)：

4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB07 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD68 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 5F003BB04 , 5F003BE04 , 5F003BH05 , 5F003BH99 , 5F003BM01 , 5F003BN01 , 5F003BZ02 , 5F041AA03 , 5F041CA82 , 5F048AC03 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB09 , 5F048BB14 , 5F048BC01 , 5F048BC15 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE15 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG35 , 5F110GG47 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HM02 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (4件)

有機トランジスタ素子、アクティブ駆動素子及びそれを用いる表示媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-018313 出願人：コニカ株式会社
有機電子デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-055299 出願人：富士ゼロックス株式会社
有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-086374 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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