特許
J-GLOBAL ID：200903091318962627
三極構造を有する炭素ナノチューブを備えた電界放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-013323
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234062
出願日： 2003年01月22日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 電界放出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板111と、基板111上に積層される透明な陰極層112と、陰極層112の一部が底部に露出したウェル118を有して陰極層112上に形成される絶縁層115と、ウェル118に対応する開口部118’を有して絶縁層115上に配置されたゲート電極116と、ゲート電極116の上部と開口部及びウェル118の内壁を囲繞するように形成される光遮断抵抗層120と、露出した陰極層112上に配置された炭素ナノチューブから構成される電界放出源131とを具備する。ゲート電極116と陰極層112との整列誤差を除去し、炭素ナノチューブのペーストを現像する際に残渣の残存を抑制することにより電極間の電流漏れ、短絡現象及びダイオードエミッション等が防止され、電界放出性能が向上された電界放出素子を提供することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に積層される透明な陰極層と、前記陰極層の一部が底部に露出したウェルを有し、前記陰極層上に形成される絶縁層と、前記ウェルに対応する開口部を有し、前記絶縁層上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極の上部と、前記開口部及び前記ウェルの内壁を囲繞するように形成される光遮断抵抗層と、前記露出した陰極層上に配置された炭素ナノチューブ電界放出源と、を具備することを特徴とする三極構造を有する炭素ナノチューブを備えた電界放出素子。
IPC (2件)：
H01J 1/304 ZNM
, H01J 9/02
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 ZNM F
5C127AA01
, 5C127BA06
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127BB12
, 5C127CC03
, 5C127DD02
, 5C127DD08
, 5C127DD13
, 5C127DD40
, 5C127DD43
, 5C127DD57
, 5C127DD59
, 5C127DD64
, 5C127EE12
, 5C127EE20
, 5C135AA06
, 5C135AA15
, 5C135AB07
, 5C135AB12
, 5C135AC03
, 5C135AC04
, 5C135HH15
, 5C135HH20
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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