局部接合構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-253126
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088468
出願日： 2006年09月19日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】局部低温チップ接合技術を達成する高分子材料とチップとの局部接合構造を提供するこ【解決手段】高分子材料とチップとの局部接合構造であって、電路デバイスが形成されている基板と、前記基板上に形成されている高分子材料層と、前記基板の周辺に形成され、電流を供給することにより所定の温度を発生する金属導線と、を備え、前記金属導線から温度を発生させることより、内部電路デバイスに影響を与えることなく前記高分子材料層と前記基板とが瞬間的に局部密封接合される。【選択図】図3A

請求項（抜粋）：

高分子材料とチップとの局部接合構造であって、電路デバイスが形成されている基板と、前記基板上に形成されている高分子材料層と、前記基板の周辺に形成され、電流を供給することにより所定の温度を発生する金属導線と、を備え、前記金属導線から温度を発生させることより、内部電路デバイスに影響を与えることなく前記高分子材料層と前記基板とが瞬間的に局部密封接合されることを特徴とする局部接合構造。

IPC (1件)：

H01L 21/52

FI (1件)：

H01L21/52 C

Fターム (3件)：

5F047AA00 , 5F047BA21 , 5F047BB16

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6225154号明細書
台湾特許公告第507345号明細書

審査官引用 (4件)

裏面照射型受光デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-268548 出願人：浜松ホトニクス株式会社
電子機器および半導体装置および半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-028375 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-281436

全件表示

前のページに戻る