特許
J-GLOBAL ID:200903040411715253
電子機器および半導体装置および半導体モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-028375
公開番号(公開出願番号):特開2005-229113
出願日: 2005年02月04日
公開日(公表日): 2005年08月25日
要約:
【課題】 新規なはんだ接続による電子機器を提供することにある。特に温度階層接続における高温側のはんだ接続を実現することにある。 【課題手段】 半導体装置と基板の接続部が、Cu等の金属ボールおよび該金属ボールとSnの化合物からなり、該金属ボールは該化合物により連結されている。 【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体チップと、前記半導体チップと接続されたタブと、および
ボンディングワイヤおよびリードによって前記半導体チップの端子と電気的に接続された外部接続端子とを有する半導体装置において、
前記半導体チップと前記タブとは、
粒子状の第一の金属と、前記第一の金属の粒子間を接続する第一の温度によって生成された前記第一の金属の成分を含む金属間化合物を介して接続されており、
前記第一の金属と前記金属間化合物とは、前記第一の温度では溶融しないことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L21/52
, B23K1/00
, B23K3/06
, B23K35/30
, C22C9/02
, C22C13/00
FI (7件):
H01L21/52 B
, H01L21/52 E
, B23K1/00 330E
, B23K3/06 H
, B23K35/30 310C
, C22C9/02
, C22C13/00
Fターム (5件):
5F047BA02
, 5F047BA14
, 5F047BA15
, 5F047BA16
, 5F047BA19
引用特許:
審査官引用 (14件)
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特開昭53-061973
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-035695
出願人:株式会社東芝
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高熱伝導ペースト半田および半導体デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-152359
出願人:株式会社東芝
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半導体装置の実装構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-063081
出願人:株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
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半田接合用材及び半田付け方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-153394
出願人:オムロン株式会社
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ソルダーペースト
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-287777
出願人:ソニー株式会社
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特開昭63-309390
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特開昭63-168293
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特開昭63-168292
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接着剤および半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-112205
出願人:東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
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特開平4-028107
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特開昭62-197292
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特開平2-207539
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半田材料及びそれを用いた電子部品
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-275087
出願人:松下電器産業株式会社, 田中電子工業株式会社
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