特許
J-GLOBAL ID：200903091347197727
レジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130689
公開番号（公開出願番号）：特開平10-319596
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高い解像度が得られると共に、所期のパターン形状を有するレジストパターンが形成され、PEDが長い場合であっても、微細なレジストパターンを確実に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (A)下記式(1)で表される繰り返し単位と下記式(2)で表される繰り返し単位とを有する共重合体、および(B)放射線を受けることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有してなる感放射線性組成物を用い、当該感放射線性組成物からなる塗膜に放射線を照射し、その後、当該塗膜を130〜160°Cの温度で30秒間以上焼成する工程を有する。〔式(1)において、R1は水素原子またはメチル基を示す。式(2)において、R2は水素原子またはメチル基を示し、R3は炭素数4〜10の3級アルキル基を示す。〕
請求項（抜粋）：
(A)下記式(1)で表される繰り返し単位と下記式(2)で表される繰り返し単位とを有する共重合体、および(B)放射線を受けることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有してなる感放射線性組成物を用い、当該感放射線性組成物からなる塗膜に放射線を照射し、その後、当該塗膜を130〜160°Cの温度で30秒間以上焼成する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。【化1】〔式(1)において、R1 は水素原子またはメチル基を示す。式(2)において、R2 は水素原子またはメチル基を示し、R3 は炭素数4〜10の3級アルキル基を示す。〕
IPC (3件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 568
