特許
J-GLOBAL ID：200903091375485290

磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気記録再生装置

発明者：
藤 慶彦

藤 慶彦 について

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福澤 英明

福澤 英明 について

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湯浅 裕美

湯浅 裕美 について

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岩崎 仁志

岩崎 仁志 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (4件)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-038977
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220854
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】センス電流の通電によるMR変化率の経時変化の低減が図られた磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】磁化固着層と,磁化自由層と,磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたAl,Si,Mg,Ta,Zn,Tiからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む酸化物,窒化物,酸窒化物を主成分とする第1の絶縁層と第1の絶縁層を層方向に貫通する第1の電流パスを含む非磁性スペーサ層とを有し,磁化自由層に対して非磁性スペーサ層が形成された側とは反対側に配置される薄膜挿入層とを具備し,薄膜挿入層がAl,Si,Mg,Ta,Zn,Tiからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む酸化物,窒化物,または酸窒化物を主成分とすることを,特徴とする磁気抵抗効果素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と,磁化方向が外部磁界に対して変化する磁化自由層と,前記磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたAl,Si,Mg,Ta,およびZnからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む酸化物,窒化物,または酸窒化物を主成分とする第1の絶縁層と前記第1の絶縁層を層方向に貫通する第1の電流パスを含む非磁性スペーサ層とを有し, 前記磁化自由層に対して前記非磁性スペーサ層が形成された側とは反対側に配置される薄膜挿入層とを具備し,前記薄膜挿入層がAl,Si,Mg,Ta,およびZnからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む酸化物,窒化物,または酸窒化物を主成分とすることを, 特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39
FI (3件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39
Fターム (52件)：
4M119AA20 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD04 ,  4M119DD33 ,  4M119DD37 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119EE03 ,  4M119FF05 ,  4M119FF17 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5F092AA06 ,  5F092AA20 ,  5F092AB02 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BB90 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27 ,  5F092CA15
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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