特許

J-GLOBAL ID：200903046697869242

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置

発明者： 福家 ひろみ ,  福澤 英明 ,  湯浅 裕美 ,  橋本 進 ,  岩崎 仁志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-069410
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259976
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】結晶性の劣化を抑制するかまたは回復させることによって、高い磁気抵抗変化量を実現した磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁性膜を含む磁化固着層と、前記磁化固着層上に形成された非磁性中間層と、前記非磁性中間層上に形成され、結晶構造がbcc構造をなし、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁性膜を含む磁化自由層と、前記磁化自由層上に形成され、結晶構造がfcc構造、hcp構造またはbcc構造をなし、最近接原子間距離が前記磁化自由層よりも大きいキャップ層と、前記磁化固着層、非磁性中間層、磁化自由層およびキャップ層の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するように設けられた一対の電極とを具備した磁気抵抗効果素子。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

磁化方向が実質的に一方向に固着された磁性膜を含む磁化固着層と、 前記磁化固着層上に形成された非磁性中間層と、 前記非磁性中間層上に形成され、結晶構造がbcc構造をなし、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁性膜を含む磁化自由層と、 前記磁化自由層上に形成され、結晶構造がfcc構造、hcp構造またはbcc構造をなし、最近接原子間距離が前記磁化自由層よりも大きいキャップ層と、 前記磁化固着層、非磁性中間層、磁化自由層およびキャップ層の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するように設けられた一対の電極と を具備したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32

FI (4件)：

H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32

Fターム (5件)：

5D034BA02 ,  5D034BA15 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-025994   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-151867   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサの製造方法、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-142527   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-263251   出願人：株式会社東芝