薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-315382
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186262
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】非晶質シリコンの固相結晶化工程時間を短縮させて生産性を向上させ、多結晶シリコンの結晶粒の大きさの均一度を向上させてTFTの電気的な特性を向上させた多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供。【構成】 a)透明性絶縁基板上に真性非晶質シリコン薄膜を成膜し、b)前記非晶質シリコン薄膜を高圧-酸素雰囲気で熱処理して多結晶シリコン薄膜と酸化膜を形成し、c)前記多結晶シリコン薄膜と酸化膜をパターニングしてトランジスタの活性領域およびゲート酸化膜を定義し、d)前記定義された活性領域の多結晶シリコン薄膜とゲート酸化膜の側壁に側壁酸化膜を形成し、e)前記ゲート酸化膜の所定の部位にゲート電極を形成し、このゲート電極をマスクとしてイオン注入して前記活性領域にソース/ドレイン領域を形成し、f)金属電極を配線して、多結晶シリコン薄膜トランジスタを製造する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを製造する方法において、a)透明性絶縁基板上に真性非晶質シリコン薄膜を成膜する工程;b)前記非晶質シリコン薄膜を高圧-酸素(O2)雰囲気の電気炉で熱処理して良質の多結晶シリコン薄膜と酸化膜を形成する固相結晶化および酸化工程;c)前記多結晶シリコン薄膜と酸化膜をパターニングしてトランジスタの活性領域およびゲート酸化膜を定義する工程;d)前記定義された活性領域の多結晶シリコン薄膜とゲート酸化膜の側壁に側壁酸化膜を形成する工程;e)前記ゲート酸化膜の所定の部位にゲート電極を形成する工程、およびこのゲート電極をマスクとして利用したイオン注入工程を通じて前記活性領域にソース/ドレイン領域を形成する工程;およびf)金属電極を形成するための配線工程からなる多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-226080
特開平4-226080
特開昭62-039070

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