特許

J-GLOBAL ID：200903091405567947

エピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法

発明者： 北原 功一 ,  太田 泰光
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247879
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077119
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 デバイス活性領域に近い場所において、つまり、エピ層直下のイオン注入による結晶欠陥をゲッタリングサイトとして設けることで、エピタキシャルウエハのゲッタリング能力を付与するとともに表面のエピタキシャル成長層に結晶欠陥を発生させないシリコンウエハの提供を目的とする。【解決手段】 シリコン基板のエピタキシャル成長面から深さ30nm以上1.2μm以下の領域にイオン注入による結晶欠陥層を有し、該シリコン基板のエピタキシャル成長面上に、結晶欠陥のないシリコンエピタキシャル層を堆積してなることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法である。

請求項（抜粋）：

シリコン基板のエピタキシャル成長面から深さ30nm以上1.2μm以下の領域にイオン注入による結晶欠陥層を有し、該シリコン基板のエピタキシャル成長面上に、結晶欠陥のないシリコンエピタキシャル層を堆積してなることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエハ。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/322 J ,  H01L 21/20

Fターム (5件)：

5F052AA04 ,  5F052CA02 ,  5F052DA01 ,  5F052GC03 ,  5F052HA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウエハ、半導体ウエハの製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-042034   出願人：株式会社日立製作所
• エピタキシャルウェハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-355507   出願人：ソニー株式会社
• エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-207756   出願人：ソニー株式会社