特許

J-GLOBAL ID：200903091406408834

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 亀井 一人 ,  楠 一彦 ,  矢代 将斉 ,  八内 昭博 ,  長谷部 光弘
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-087077
公開番号（公開出願番号）：特開2007-261844
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】融解したSi合金の溶媒中にSiCが溶解した溶液から、種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる液相成長法による炭化珪素単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。【解決手段】溶媒としてSi-Cr合金を使用し、Crのモル濃度を[Cr]、Siのモル濃度を[Si]として、[Cr]/([Cr]+[Si])の値が0.2以上、0.6以下の組成とする。温度勾配法でSiC単結晶を連続成長させても、安定して均一なバルクまたは薄膜単結晶を成長させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiとCとCrとを含み、Crのモル濃度を[Cr]、Siのモル濃度を[Si]として、[Cr]/([Cr]+[Si])の値が0.2以上、0.6以下である合金融液に、SiC成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記合金融液をSiCの過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる、SiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/04

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/04

Fターム (14件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072033   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化珪素単結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-105567   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072033   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164061   出願人：住友金属工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Si-Cr-X(X=Cr,V)3元系状態図の熱力学的計算