リチウムのスパッタリング

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤井紘一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-521442
公開番号（公開出願番号）：特表2000-509100
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】リチウムを、約8乃至約120kHz、好ましくは約10-100kHzの周波数を有する交流スパッタリング電位(39)を使用し、あるいは間欠的に印加されるDCスパッタリング電位と逆クリアリング電位とを使用して、金属リチウム面を備えたターゲット(22)からスパッタリングする。かかる方法を使用して、リチウムを窓ガラスへのコーティングのようなエレクトクロミック材料に被着することができる。

請求項（抜粋）：

(a)露出面を画成する金属リチウムの上層および金属支持層を有するターゲットと、対電極と、基体とを提供する工程と、 (b)ターゲット、対電極および基体を減圧下の略不活性雰囲気に保持するとともに、ターゲットを前記略不活性雰囲気に保持する工程と、 (c)前記ターゲットが前記対電極に対して負となるように交流電位または順方向の直流電位を含むスパッタリング電位を前記対電極と前記ターゲットとの間に印加する工程とを備え、該スパッタリング電位を印加する工程は前記ターゲットに隣接してプラズマを保持するとともに前記スパッタリング電位の影響下で前記ターゲットから金属リチウムをスパッタリングするように行われ、更に (d)前記スパッタリング電位の終了前の1つ以上の区間において、前記スパッタリング電位とは異なりかつ前記順方向とは反対の逆方向の逆電位を含むクリアリング電位を前記対電極と前記ターゲットとの間に印加する工程を備えることを特徴とするリチウムをスパッタリングする方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , G02F 1/15 505

FI (2件)：

C23C 14/34 S , G02F 1/15 505

引用特許：

審査官引用 (9件)

特公平3-500096
特公平6-507732
直流マグネトロン型反応性スパッタ法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-032190 出願人：中外炉工業株式会社

全件表示

前のページに戻る