特許
J-GLOBAL ID：200903091430785878
積層型圧電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-113826
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287940
出願日： 2006年04月17日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】積層体の積層方向に延びるクラック等が生じることを防止可能な積層型圧電素子1を提供すること。【解決手段】積層型圧電素子1は、複数の圧電体3と、第1電極4A及び第2電極4Bを含む複数の内部電極とを交互に積層し焼結してなる積層体2を備える。積層体2は、第1電極4Aと第2電極4Bとが積層体2の積層方向に重なり合うように構成された活性部Pと、第1電極4Aと第2電極4Bとが積層体2の積層方向に重なり合わないように構成された不活性部Qとを有する。不活性部Qには、圧電体3よりも強度の低い低強度層5が設けられており、低強度層5は、ZrO2、MgO、Nb2O5の何れかを含む材料で形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
複数の圧電体と第1電極及び第2電極を含む複数の内部電極とを交互に積層し焼結してなる積層体を備えた積層型圧電素子であって、
前記積層体は、前記第1電極と前記第2電極とが前記積層体の積層方向に重なり合うように構成された活性部と、前記第1電極と前記第2電極とが前記積層体の積層方向に重なり合わないように構成された不活性部とを有し、
前記不活性部には、前記圧電体よりも強度の低い低強度層が設けられており、
前記低強度層は、ZrO2、MgO、Nb2O5の何れかを含む材料で形成されていることを特徴とする積層型圧電素子。
IPC (6件)：
H01L 41/083
, H01L 41/187
, H01L 41/22
, H02N 2/00
, F02M 51/06
, F02M 51/00
H01L41/08 S
, H01L41/18 101F
, H01L41/22 Z
, H02N2/00 B
, F02M51/06 N
, F02M51/00 E
3G066AD07
, 3G066BA46
, 3G066CE27
, 3G066CE31
