特許
J-GLOBAL ID:200903091451549945
半導体装置及び半導体装置用キャリア
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-225882
公開番号(公開出願番号):特開2000-058686
出願日: 1998年08月10日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、半導体素子をキャップにより封止する構造の半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】 基板102と、基板102上に配設された半導体素子106と、基板102に配設されることにより、半導体素子106を封止するキャップ112と、キャップ112に形成されており、基板102と接合される接合部113とを具備する半導体装置100において、接合部113を、半導体素子106の近傍位置に設ける。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に配設された半導体素子と、前記基板に配設されることにより、前記半導体素子を封止するキャップと、前記キャップに形成されており、前記基板と接合される接合部とを具備する半導体装置において、前記接合部を、前記半導体素子の近傍位置に設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/02
, H01L 21/50
, H01L 23/04
, H01L 23/40
FI (5件):
H01L 23/02 B
, H01L 23/02 E
, H01L 21/50 F
, H01L 23/04 G
, H01L 23/40 C
Fターム (7件):
5F036AA01
, 5F036BB05
, 5F036BB14
, 5F036BC05
, 5F036BC08
, 5F036BC33
, 5F036BE09
引用特許:
審査官引用 (7件)
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高電圧半導体装置のハーメチックパッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-000760
出願人:ハリスコーポレイション
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-196943
出願人:株式会社日立製作所
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特開昭55-062752
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-109773
出願人:株式会社東芝
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-287570
出願人:株式会社日立製作所
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特開昭59-041857
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特開平1-286455
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